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元器件型号详细信息
原厂型号
IRF200B211
摘要
MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
详情
通孔 N 通道 200 V 12A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
20 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
170 毫欧 @ 7.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.9V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
790 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
80W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IRF200
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001561622
INFIRFIRF200B211
2156-IRF200B211
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF200B211
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PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRF200B211)
EDA 模型
1(IRF200B211 by Ultra Librarian)
仿真模型
1(IRF200B211 Saber Model)
价格
数量: 10000
单价: $3.38477
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 5000
单价: $3.51699
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $3.70208
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $3.96652
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $5.0243
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $6.0822
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $7.799
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $8.74
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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