IPD50N04S308ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD50N04S308ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 40 V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3-11

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

不适用于新设计

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

7.5 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 40µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

35 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2350 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

68W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3-11

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD50

其它名称

IPD50N04S3-08DKR-ND

IPD50N04S308ATMA1TR

IPD50N04S308ATMA1DKR

IPD50N04S3-08CT

IPD50N04S3-08-ND

IPD50N04S3-08TR-ND

SP000261218

IPD50N04S3-08

IPD50N04S3-08CT-ND

IPD50N04S3-08DKR

IPD50N04S308

IPD50N04S308ATMA1CT

IPD50N04S3-08TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD50N04S308ATMA1

价格

数量: 12500

单价: $4.85832
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 5000

单价: $5.04809
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 2500

单价: $5.31378
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

替代型号

型号 : IPD50N04S408ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,259
单价. : ¥9.70000
替代类型. : 类似

型号 : FDD8453LZ

制造商 : onsemi
库存 : 64,487
单价. : ¥13.67000
替代类型. : 直接

型号 : DMTH4007LK3-13

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥7.15000
替代类型. : 类似

型号 : DMNH4006SK3Q-13

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥4.90827
替代类型. : 类似

型号 : STD95N4LF3

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 8,039
单价. : ¥14.87000
替代类型. : 类似

型号 : STD80N4F6

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 516
单价. : ¥13.36000
替代类型. : 类似

MTSW-126-22-L-D-100 BFC237547821 510-87-056-09-041101 RMCF0402JT22K0 A22K1B

IPD50N04S308ATMA1

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