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元器件型号详细信息
原厂型号
APT11N80KC3G
摘要
MOSFET N-CH 800V 11A TO220
详情
通孔 N 通道 800 V 11A（Tc） 156W（Tc） TO-220 [K]
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Microsemi Corporation
系列
CoolMOS™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
450 毫欧 @ 7.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 680µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1585 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
156W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220 [K]
封装/外壳
TO-220-3
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
APT11N80KC3GMI-ND
APT11N80KC3GMI
APT11N80KC3G-ND
150-APT11N80KC3G
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Microsemi Corporation APT11N80KC3G
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规格书
1(Power Products Catalog)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 30/Apr/2015)
HTML 规格书
1(Power Products Catalog)
价格
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替代型号
-