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Germany2SK879-GR(TE85L,F)
元器件型号详细信息
原厂型号
2SK879-GR(TE85L,F)
摘要
JFET N-CH USM
详情
JFET N 通道 100 mW 表面贴装型 USM
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)
2.6 mA @ 10 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
400 mV @ 100 nA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8.2pF @ 10V
功率 - 最大值
100 mW
工作温度
125°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SC-70，SOT-323
供应商器件封装
USM
基本产品编号
2SK879
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
2SK879-GR (TE85L,F)
2SK879-GR(TE85LF)CT
2SK879-GR(TE85LF)DKR
2SK879-GR(TE85LF)TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/JFET/Toshiba Semiconductor and Storage 2SK879-GR(TE85L,F)
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