English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRLW630ATM
元器件型号详细信息
原厂型号
IRLW630ATM
摘要
MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
详情
通孔 N 通道 200 V 9A（Tc） 3.1W（Ta），69W（Tc） I2PAK（TO-262）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
400 毫欧 @ 4.5A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
755 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），69W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
I2PAK（TO-262）
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
基本产品编号
IRLW63
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi IRLW630ATM
相关文档
规格书
1(IRLW/I630A)
环保信息
()
HTML 规格书
1(IRLW/I630A)
价格
-
替代型号
型号 : IRF630STRRPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥13.43000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥13.43000
替代类型. : 直接
型号 : IRL630STRLPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥12.41626
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥12.41626
替代类型. : 类似
型号 : IRFU220PBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 2,971
单价. : ¥12.08000
替代类型. : 类似
库存 : 2,971
单价. : ¥12.08000
替代类型. : 类似
型号 : IRF624SPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 1,866
单价. : ¥16.77000
替代类型. : 类似
库存 : 1,866
单价. : ¥16.77000
替代类型. : 类似
型号 : RCJ120N20TL
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 33
单价. : ¥10.33000
替代类型. : 类似
库存 : 33
单价. : ¥10.33000
替代类型. : 类似