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GermanyIPD65R1K4CFDBTMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD65R1K4CFDBTMA1
摘要
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 2.8A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
262 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
28.4W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD65R
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPD65R1K4CFDBTMA1TR
IPD65R1K4CFDBTMA1CT
SP000953126
IPD65R1K4CFDBTMA1DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD65R1K4CFDBTMA1
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()
PCN 组装/来源
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PCN 封装
()
PCN 零件状态变更
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HTML 规格书
1(IPD65R1K4CFD)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V CFD2 Spice Model)
价格
-
替代型号
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