IRFH8307TRPBF

元器件型号详细信息

原厂型号

IRFH8307TRPBF

摘要

MOSFET N-CH 30V 42A/100A 8PQFN

详情

表面贴装型 N 通道 30 V 42A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） 8-PQFN（5x6）

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

4,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®, StrongIRFET™

包装

卷带（TR）

产品状态

最后售卖

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

42A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

1.3 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 150µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

120 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

7200 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

3.6W（Ta），156W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-PQFN（5x6）

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

IRFH8307

其它名称

SP001565976

2156-IRFH8307TRPBF

IRFH8307TRPBFTR

IRFH8307TRPBF-ND

IRFH8307TRPBFCT

IRFH8307TRPBFDKR

IFEINFIRFH8307TRPBF

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFH8307TRPBF

价格

数量: 12000

单价: $5.48947
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000

数量: 8000

单价: $5.63393
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000

数量: 4000

单价: $5.85062
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000

替代型号

型号 : IRFH5300TRPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 6,183
单价. : ¥12.88000
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型号 : CSD17556Q5BT

制造商 : Texas Instruments
库存 : 442
单价. : ¥23.85000
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型号 : RJK0346DPA-01#J0B

制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 2,500
单价. : ¥10.22056
替代类型. : 类似

型号 : CSD17312Q5

制造商 : Texas Instruments
库存 : 4,023
单价. : ¥18.28000
替代类型. : 类似

型号 : DMT32M5LFG-7

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥3.73949
替代类型. : 类似

HMTSW-120-23-F-S-237 19300320738 A210406 RN731ETTP2101F50 BM-20-EVB

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