元器件型号详细信息

原厂型号
FQPF6N80C
摘要
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F
详情
通孔 N 通道 800 V 5.5A(Tc) 51W(Tc) TO-220F-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
管件
Product Status
最后售卖
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.5 欧姆 @ 2.75A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
30 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1310 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
51W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F-3
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
FQPF6

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FQPF6N80C

相关文档

规格书
1(FQP(F)6N80C)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 30/Mar/2023)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Assembly/Test Site 14/Dec/2022)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(FQP(F)6N80C)

价格

数量: 10000
单价: $7.87473
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 5000
单价: $8.15893
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $8.47275
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $9.10037
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $16.631
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $18.52
包装: 管件
最小包装数量: 1

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