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GermanyMT47H64M8B6-25E:D TR
元器件型号详细信息
原厂型号
MT47H64M8B6-25E:D TR
摘要
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
详情
SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb 并联 400 MHz 400 ps 60-FBGA
原厂/品牌
Micron Technology Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Micron Technology Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
存储器类型
易失
存储器格式
DRAM
技术
SDRAM - DDR2
存储容量
512Mb
存储器组织
64M x 8
存储器接口
并联
时钟频率
400 MHz
写周期时间 - 字，页
15ns
访问时间
400 ps
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V
工作温度
0°C ~ 85°C（TC）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
60-FBGA
供应商器件封装
60-FBGA
基本产品编号
MT47H64M8
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0024
其它名称
MT47H64M8B6-25E:D TR-ND
MT47H64M8B6-25E:DTR
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Micron Technology Inc. MT47H64M8B6-25E:D TR
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规格书
1(MT47H128M4,64M8,32M16)
HTML 规格书
1(MT47H128M4,64M8,32M16)
价格
-
替代型号
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