元器件型号详细信息

原厂型号
71V67603S133BG8
摘要
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
详情
SRAM - 同步,SDR 存储器 IC 9Mb 并联 133 MHz 4.2 ns 119-PBGA(14x22)
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
24 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM - 同步,SDR
存储容量
9Mb
存储器组织
256K x 36
存储器接口
并联
时钟频率
133 MHz
写周期时间 - 字,页
-
访问时间
4.2 ns
电压 - 供电
3.135V ~ 3.465V
工作温度
0°C ~ 70°C(TA)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
119-BGA
供应商器件封装
119-PBGA(14x22)
基本产品编号
71V67603

相关信息

RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041

其它名称

IDT71V67603S133BG8
IDT71V67603S133BG8-ND

所属分类/目录

/产品索引 /集成电路(IC)/存储器/存储器/Renesas Electronics America Inc 71V67603S133BG8

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规格书
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PCN 设计/规格
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HTML 规格书
1(IDT Suffixes)

价格

数量: 1000
单价: $207.64191
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000

替代型号

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