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元器件型号详细信息
原厂型号
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR
摘要
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 130VFBGA
详情
闪存 - NAND 存储器 IC 1Gb 并联 130-VFBGA（8x9）
原厂/品牌
Micron Technology Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Micron Technology Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
存储器类型
非易失
存储器格式
闪存
技术
闪存 - NAND
存储容量
1Gb
存储器组织
64M x 16
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
-
电压 - 供电
1.7V ~ 1.95V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
130-VFBGA
供应商器件封装
130-VFBGA（8x9）
基本产品编号
MT29F1G16
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
ECCN
3A991B1A
HTSUS
8542.32.0071
其它名称
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR-ND
MT29F1G16ABBEAMD-IT:ETR
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR
相关文档
PCN 组装/来源
1(Fab Site Transistion 19/Nov/2013)
PCN 封装
1(Standard Pkg Label Chg 20/Feb/2019)
价格
-
替代型号
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