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GermanyFDV302P
元器件型号详细信息
原厂型号
FDV302P
摘要
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
详情
表面贴装型 P 通道 25 V 120mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.31 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
FDV30
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
FDV302PTR
FDV302PCT
2156-FDV302P-OS
FDV302PCT-NDR
2832-FDV302P-488
FDV302PTR-NDR
FDV302PDKR
2832-FDV302PTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDV302P
相关文档
规格书
1(FDV302P Datasheet)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 12/Aug/2020)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Devices 27/Sep/2017)
PCN 封装
()
EDA 模型
1(FDV302P by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : FDV304P
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥3.24000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥3.24000
替代类型. : 直接
型号 : DMG302PU-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥1.01039
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥1.01039
替代类型. : 类似
型号 : DMG302PU-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥0.88792
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥0.88792
替代类型. : 类似