元器件型号详细信息

原厂型号
FQPF5N50CTTU
摘要
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
详情
通孔 N 通道 500 V 5A(Tc) 38W(Tc) TO-220F-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 欧姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
24 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
625 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
38W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F-3
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
FQPF5

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FQPF5N50CTTU

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规格书
1(FQP5N50C, FQPF5N50C)
环保信息
()
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1(FQP5N50C, FQPF5N50C)
EDA 模型
1(FQPF5N50CTTU by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

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单价. : ¥0.00000
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