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20250411
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元器件资讯
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APTC90DDA12T1G
元器件型号详细信息
原厂型号
APTC90DDA12T1G
摘要
MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
详情
MOSFET - 阵列 900V 30A 250W 底座安装 SP1
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
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技术参数
制造商
Microsemi Corporation
系列
CoolMOS™
包装
托盘
产品状态
停产
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N 沟道(双路降压斩波器)
FET 功能
超级结
漏源电压(Vdss)
900V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
120 毫欧 @ 26A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
270nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6800pF @ 100V
功率 - 最大值
250W
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP1
供应商器件封装
SP1
基本产品编号
APTC90
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
150-APTC90DDA12T1G
APTC90DDA12T1G-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Microsemi Corporation APTC90DDA12T1G
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规格书
1(APTC90DDA12T1G)
环保信息
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价格
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