SIS903DN-T1-GE3

元器件型号详细信息

原厂型号

SIS903DN-T1-GE3

摘要

MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

详情

MOSFET - 阵列 20V 6A（Tc） 2.6W（Ta），23W（Tc）表面贴装型 PowerPAK® 1212-8 双

原厂/品牌

Vishay Siliconix

原厂到货时间

99 周

EDA/CAD 模型

标准包装

3,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET® Gen III

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

技术

MOSFET（金属氧化物）

配置

2 个 P 沟道（双）

FET 功能

-

漏源电压（Vdss）

20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

6A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

20.1 毫欧 @ 5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

42nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2565pF @ 10V

功率 - 最大值

2.6W（Ta），23W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8 双

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8 双

基本产品编号

SIS903

其它名称

SIS903DN-T1-GE3TR

SIS903DN-GE3

SIS903DN-T1-GE3CT

SIS903DN-T1-GE3DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SIS903DN-T1-GE3

价格

数量: 15000

单价: $3.02898
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 6000

单价: $3.14731
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 3000

单价: $3.31296
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 1000

单价: $3.54957
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $4.49612
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $5.4431
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.98
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $7.79
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $3.54957
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $4.49612
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $5.4431
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.98
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $7.79
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : UT6JA2TCR

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 2,900
单价. : ¥6.60000
替代类型. : 类似

ERJ-PA3J681V RWR82S6980FRB12 SN74CB3T16210DGGR ALA2PF09 ATS-11A-163-C3-R0

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