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GermanyPMT200EPEX
元器件型号详细信息
原厂型号
PMT200EPEX
摘要
MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223
详情
表面贴装型 P 通道 70 V 2.4A（Ta） 800mW（Ta） SOT-223
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
8 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
70 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
167 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
822 pF @ 35 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
800mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
PMT200
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
1727-PMT200EPEXDKR
1727-PMT200EPEXTR
934660521115
PMT200EPEX-ND
1727-PMT200EPEXCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Nexperia USA Inc. PMT200EPEX
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规格书
1(PMT200EPE)
PCN 封装
1(All Dev Label Chgs 2/Aug/2020)
HTML 规格书
1(PMT200EPE)
价格
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