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GermanyRV8C010UNHZGG2CR
元器件型号详细信息
原厂型号
RV8C010UNHZGG2CR
摘要
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 1A（Ta） 1W DFN1010-3W
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
17 周
EDA/CAD 模型
标准包装
8,000
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
470 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DFN1010-3W
封装/外壳
3-XFDFN
基本产品编号
RV8C010
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
846-RV8C010UNHZGG2CRCT
846-RV8C010UNHZGG2CRDKR
846-RV8C010UNHZGG2CRTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Rohm Semiconductor RV8C010UNHZGG2CR
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规格书
1(RV8C010UN HZG)
产品培训模块
1(Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers)
视频文件
1(Wettable Flank Package-DFN1010-3W)
特色产品
1(Automotive Ultra-Compact 1 mm² MOSFETs)
HTML 规格书
1(RV8C010UN HZG)
价格
数量: 8000
单价: $1.59763
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 8000
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