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GermanyIPP019N08NF2SAKMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPP019N08NF2SAKMA1
摘要
TRENCH 40<-<100V
详情
通孔 N 通道 80 V 32A（Ta），191A（Tc） 3.8W（Ta），250W（Tc） PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
StrongIRFET™ 2
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
32A（Ta），191A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.9 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 194µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
186 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8700 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP019N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-IPP019N08NF2SAKMA1
448-IPP019N08NF2SAKMA1
SP005548842
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP019N08NF2SAKMA1
相关文档
规格书
1(IPP019N08NF2S)
环保信息
1(RoHS Certificate)
特色产品
1(LV N-Channel MOSFETs)
EDA 模型
1(IPP019N08NF2SAKMA1 by Ultra Librarian)
价格
数量: 5000
单价: $11.20564
包装: 管件
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数量: 2000
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替代型号
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