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GermanyFGH60T65SHD-F155
元器件型号详细信息
原厂型号
FGH60T65SHD-F155
摘要
IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 120 A 349 W 通孔 TO-247-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
68 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
180 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，60A
功率 - 最大值
349 W
开关能量
1.69mJ（开），630µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
102 nC
25°C 时 Td（开/关）值
26ns/87ns
测试条件
400V，60A，6 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
34.6 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
FGH60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FGH60T65SHDF155
FGH60T65SHD_F155
FGH60T65SHD_F155-ND
ONSFGH60T65SHD-F155
2156-FGH60T65SHD-F155-OS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi FGH60T65SHD-F155
相关文档
规格书
1(FGH60T65SHD)
环保信息
()
特色产品
1(650 V, 30A/40A/60A, Field Stop Trench, FS3 IGBT for Optimum Performance)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Change 27/Dec/2022)
PCN 封装
()
PCN 零件编号
1(Mult Device Part Number Chg 30/May/2017)
EDA 模型
1(FGH60T65SHD-F155 by Ultra Librarian)
价格
数量: 2000
单价: $23.74366
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $24.9933
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $29.63502
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
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包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $47.3
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
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