最后更新
20250503
Language
简体中文
English
Spain
Rusia
Italy
Germany
元器件资讯
库存查询
IPI50R350CP
元器件型号详细信息
原厂型号
IPI50R350CP
摘要
MOSFET N-CH 550V 10A TO262-3
详情
通孔 N 通道 550 V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO262-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
>>>点击查询实时库存<<<
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
550 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
350 毫欧 @ 5.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 370µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
25 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1020 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
89W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO262-3
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
基本产品编号
IPI50R
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP000236084
2156-IPI50R350CP
ROCINFIPI50R350CP
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPI50R350CP
相关文档
规格书
1(IPI50R350CP)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
产品培训模块
1(Power Factor Correction)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 设计/规格
1(CoolMOS/OptiMOS Halogen Free 10/Dec/2008)
HTML 规格书
1(IPI50R350CP)
价格
-
替代型号
型号 : STP18N55M5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥25.60000
替代类型. : 类似
相似型号
SIT8008AI-22-XXE-8.000000
7849-C-440-SS
CW01045K00JB12
RN73R2ATTD2153C25
337-032-524-608