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GermanyFQP19N20
元器件型号详细信息
原厂型号
FQP19N20
摘要
MOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3
详情
通孔 N 通道 200 V 19.4A（Tc） 140W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
150 毫欧 @ 9.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1600 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
140W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
FQP19
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FQP19N20-ND
ONSONSFQP19N20
FQP19N20FS
2156-FQP19N20-OS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQP19N20
相关文档
规格书
()
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 23/Dec/2021)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(MFG Site Addition 09/Mar/2020)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
HTML 规格书
1(TO220B03 Pkg Drawing)
EDA 模型
()
价格
数量: 500
单价: $7.80316
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $9.4974
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $11.813
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $13.12
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : FQP19N20-T
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 参数等效
型号 : IRF640NPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 78,111
单价. : ¥11.84000
替代类型. : 类似
库存 : 78,111
单价. : ¥11.84000
替代类型. : 类似
型号 : STP19NF20
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 3,823
单价. : ¥12.96000
替代类型. : 类似
库存 : 3,823
单价. : ¥12.96000
替代类型. : 类似
型号 : STP20NF20
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 305
单价. : ¥19.48000
替代类型. : 类似
库存 : 305
单价. : ¥19.48000
替代类型. : 类似
型号 : PJP18N20_T0_00001
制造商 : Panjit International Inc.
库存 : 1,134
单价. : ¥8.43000
替代类型. : 类似
库存 : 1,134
单价. : ¥8.43000
替代类型. : 类似
型号 : IRF640PBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 763
单价. : ¥15.82000
替代类型. : 类似
库存 : 763
单价. : ¥15.82000
替代类型. : 类似