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GermanyTN2130K1-G
元器件型号详细信息
原厂型号
TN2130K1-G
摘要
MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB
详情
表面贴装型 N 通道 300 V 85mA（Tj） 360mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
原厂/品牌
Microchip Technology
原厂到货时间
5 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Microchip Technology
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
85mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 欧姆 @ 120mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
360mW（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-236AB（SOT23）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
TN2130
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
TN2130K1-GTR
TN2130K1-G-ND
TN2130K1-GCT
TN2130K1-GDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Microchip Technology TN2130K1-G
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规格书
1(TN2130)
环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Qualification Report Revision 29/Jan/2015)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(TN2130)
EDA 模型
1(TN2130K1-G by Ultra Librarian)
价格
数量: 3000
单价: $2.78235
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 100
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
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替代型号
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