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20251229
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元器件资讯
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MMIX2F60N50P3
元器件型号详细信息
原厂型号
MMIX2F60N50P3
摘要
MOSFET N-CH
详情
MOSFET - 阵列 500V 30A(Tc) 320W 表面贴装型 24-SMPD
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
53 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
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技术参数
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™, Polar3™
包装
管件
Product Status
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
500V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
110 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
96nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6250pF @ 25V
功率 - 最大值
320W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
24-SMD 模块(9 引线)
供应商器件封装
24-SMPD
基本产品编号
MMIX2F60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/IXYS MMIX2F60N50P3
相关文档
规格书
1(MMIX2F60N50P3)
环保信息
1(Ixys IC REACH)
HTML 规格书
1(MMIX2F60N50P3)
价格
数量: 20
单价: $315.4715
包装: 管件
最小包装数量: 20
替代型号
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