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GermanySSM6N951L,EFF
元器件型号详细信息
原厂型号
SSM6N951L,EFF
摘要
SMALL SIGNAL MOSFET RDSON: 4.4MO
详情
MOSFET - 阵列 12V 8A 表面贴装型 6-TCSPA（2.14x1.67）
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
20 周
EDA/CAD 模型
标准包装
10,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.1 毫欧 @ 8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
功率 - 最大值
-
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-SMD，无引线
供应商器件封装
6-TCSPA（2.14x1.67）
基本产品编号
SSM6N951
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
264-SSM6N951LEFFTR
264-SSM6N951LEFFDKR
264-SSM6N951LEFFCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N951L,EFF
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