English
Spain
Rusia
Italy
GermanySTGWA75H65DFB2
元器件型号详细信息
原厂型号
STGWA75H65DFB2
摘要
TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 115 A 357 W 通孔 TO-247 长引线
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
HB2
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
115 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
225 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，75A
功率 - 最大值
357 W
开关能量
1.428mJ（开），1.05mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
207 nC
25°C 时 Td（开/关）值
28ns/100ns
测试条件
400V，75A，2.2 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
88 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247 长引线
基本产品编号
STGWA75
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/STMicroelectronics STGWA75H65DFB2
相关文档
规格书
1(STGWA75H65DFB2)
PCN 组装/来源
1(Assembly Site 06/Apr/2023)
价格
数量: 1000
单价: $25.97129
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $30.46598
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $35.7882
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $43.683
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $48.65
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-