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GermanySISH407DN-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SISH407DN-T1-GE3
摘要
MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 15.4A（Ta），25A（Tc） 3.6W（Ta），33W（Tc） PowerPAK® 1212-8SH
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
63 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15.4A（Ta），25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.5 毫欧 @ 15.3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
93.8 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2760 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.6W（Ta），33W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SH
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SH
基本产品编号
SISH407
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SISH407DN-T1-GE3TR
SISH407DN-T1-GE3DKR
SISH407DN-T1-GE3CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SISH407DN-T1-GE3
相关文档
规格书
1(SISH407DN Datasheet)
EDA 模型
1(SISH407DN-T1-GE3 by Ultra Librarian)
价格
数量: 3000
单价: $2.72324
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $3.00494
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $3.75618
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $4.7515
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $6.201
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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替代型号
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