English
Spain
Rusia
Italy
GermanyECH8619-TL-E
元器件型号详细信息
原厂型号
ECH8619-TL-E
摘要
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8ECH
详情
MOSFET - 阵列 60V 3A，2A 1.5W 表面贴装型 8-ECH
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A，2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
93 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12.8nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
560pF @ 20V
功率 - 最大值
1.5W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
供应商器件封装
8-ECH
基本产品编号
ECH8619
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
869-1156-1
ECH8619TLE
869-1156-6
869-1156-2
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi ECH8619-TL-E
相关文档
规格书
1(ECH8619)
环保信息
()
价格
-
替代型号
型号 : QS8M31TR
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 0
单价. : ¥6.60000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥6.60000
替代类型. : 类似