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GermanyZXMC3AM832TA
元器件型号详细信息
原厂型号
ZXMC3AM832TA
摘要
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
详情
MOSFET - 阵列 30V 2.9A，2.1A 1.7W 表面贴装型 8-MLP（3x2）
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.9A，2.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
120 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.9nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
190pF @ 25V
功率 - 最大值
1.7W
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
8-MLP（3x2）
基本产品编号
ZXMC3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ZXMC3AM832TADKR
1034-ZXMC3AM832TADKR
1034-ZXMC3AM832TACT
ZXMC3AM832TATR
ZXMC3AM832TACT-NDR
ZXMC3AM832TATR-NDR
ZXMC3AM832TACT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated ZXMC3AM832TA
相关文档
规格书
()
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 产品变更/停产
1(MLP322, 832 Pkg 20/Dec/2010)
HTML 规格书
()
价格
-
替代型号
型号 : ZXMC3AMCTA
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 28,012
单价. : ¥7.87000
替代类型. : 直接
库存 : 28,012
单价. : ¥7.87000
替代类型. : 直接