元器件型号详细信息

原厂型号
DMN3110LCP3-7
摘要
MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 3.2A(Ta) 1.38W X2-DFN1006-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
69 毫欧 @ 500mA,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.52 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
150 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.38W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
X2-DFN1006-3
封装/外壳
3-XFDFN
基本产品编号
DMN3110

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated DMN3110LCP3-7

相关文档

环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 22/Nov/2021)

价格

-

替代型号

型号 : DMN3060LCA3-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥3.18000
替代类型. : 类似