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GermanyLM5113TMX/NOPB
元器件型号详细信息
原厂型号
LM5113TMX/NOPB
摘要
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12USMD
详情
半桥 栅极驱动器 IC 非反相 12-DSBGA
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
驱动配置
半桥
通道类型
独立式
驱动器数
2
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
逻辑电压 - VIL，VIH
1.76V，1.89V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
1.2A，5A
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）
107 V
上升/下降时间（典型值）
7ns，1.5ns
工作温度
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
12-WFBGA
供应商器件封装
12-DSBGA
基本产品编号
LM5113
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/电源管理（PMIC）/栅极驱动器/Texas Instruments LM5113TMX/NOPB
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规格书
1(LM5113)
产品培训模块
1(Driving eGaN FETs with the LM5113)
特色产品
()
HTML 规格书
1(LM5113)
EDA 模型
()
价格
数量: 3000
单价: $20.68962
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
替代型号
-