元器件型号详细信息

原厂型号
NTNS2K1P021ZTCG
摘要
MOSFET P-CH 20V 127MA 3XDFN
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 127mA(Ta) 125mW(Ta) 3-XDFN(0.42x0.62)
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
39 周
EDA/CAD 模型
标准包装
8,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
127mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
12800 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
125mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
3-XDFN(0.42x0.62)
封装/外壳
3-XFDFN
基本产品编号
NTNS2

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

488-NTNS2K1P021ZTCGCT
488-NTNS2K1P021ZTCGTR
488-NTNS2K1P021ZTCGDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NTNS2K1P021ZTCG

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规格书
1(NTNS2K1P021Z)
环保信息
()

价格

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