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GermanyIPP60R199CPXKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPP60R199CPXKSA1
摘要
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
详情
通孔 N 通道 650 V 16A（Tc） 139W（Tc） PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
199 毫欧 @ 9.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 660µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1520 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
139W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP60R199
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPP60R199CPXK
IPP60R199CPXKSA1-ND
IPP60R199CPIN
IPP60R199CPIN-ND
IPP60R199CP-ND
IPP60R199CPAKSA1
IPP60R199CPX
IPP60R199CP
SP000084278
448-IPP60R199CPXKSA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP60R199CPXKSA1
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HTML 规格书
1(IPP60R199CP)
EDA 模型
1(IPP60R199CP by Ultra Librarian)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 600V CP Spice Model)
价格
数量: 2000
单价: $18.34277
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $19.30817
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
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包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $36.57
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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库存 : 100
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库存 : 6,819
单价. : ¥12.48000
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型号 : IRF830A
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
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型号 : STP28N60M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,050
单价. : ¥26.47000
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制造商 : STMicroelectronics
库存 : 19
单价. : ¥41.82000
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型号 : STP28N65M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 950
单价. : ¥27.67000
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