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GermanySSM6N7002BFU(T5L,F
元器件型号详细信息
原厂型号
SSM6N7002BFU(T5L,F
摘要
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
详情
MOSFET - 阵列 60V 200mA 300mW 表面贴装型 US6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
剪切带（CT）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.1 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
17pF @ 25V
功率 - 最大值
300mW
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
US6
基本产品编号
SSM6N7002
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
SSM6N7002BFU(T5LFDKR
SSM6N7002BFULF(TTR-ND
SSM6N7002BFULF(TTR
SSM6N7002BFULF(TDKR-ND
SSM6N7002BFULF(TDKR
SSM6N7002BFULF(TCT
SSM6N7002BFU(T5LFCT
SSM6N7002BFU(T5LFTR
SSM6N7002BFULF(TCT-ND
SSM6N7002BFUT5LF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU(T5L,F
相关文档
规格书
()
产品培训模块
1(Small Signal MOSFET)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Device EOL Oct/2016)
HTML 规格书
()
价格
-
替代型号
型号 : SSM6N7002CFU,LF
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 3,491
单价. : ¥2.23000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥2.23000
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型号 : UM6K31NTN
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 156,740
单价. : ¥2.94000
替代类型. : 类似
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型号 : DMN601DWK-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 482,462
单价. : ¥4.05000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥4.05000
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