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GermanyCSD83325L
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD83325L
摘要
MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
详情
MOSFET - 阵列 12V 2.3W 表面贴装型 6 PicoStar
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
功率 - 最大值
2.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-XFBGA
供应商器件封装
6 PicoStar
基本产品编号
CSD83325
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
296-40009-1
2156-CSD83325L
296-40009-2
CSD83325L-ND
TEXTISCSD83325L
296-40009-6
-296-40009-1-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Texas Instruments CSD83325L
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规格书
1(CSD83325L)
特色产品
1(Power Management)
制造商产品页面
1(CSD83325L Specifications)
HTML 规格书
1(CSD83325L)
EDA 模型
1(CSD83325L by Ultra Librarian)
价格
数量: 6000
单价: $1.83643
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 3000
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
替代型号
型号 : EFC6605R-TR
制造商 : onsemi
库存 : 4,643
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