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GermanySISF02DN-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SISF02DN-T1-GE3
摘要
MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
详情
MOSFET - 阵列 25V 30.5A（Ta），60A（Tc） 5.2W（Ta），69.4W（Tc） 表面贴装型 PowerPAK® 1212-8SCD
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
32 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET® Gen IV
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30.5A（Ta），60A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.5 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
56nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2650pF @ 10V
功率 - 最大值
5.2W（Ta），69.4W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SCD
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SCD
基本产品编号
SISF02
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SISF02DN-T1-GE3DKR
2266-SISF02DN-T1-GE3TR
SISF02DN-T1-GE3CT
SISF02DN-T1-GE3TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SISF02DN-T1-GE3
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