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GermanyFCH060N80-F155
元器件型号详细信息
原厂型号
FCH060N80-F155
摘要
MOSFET N-CH 800V 56A TO247
详情
通孔 N 通道 800 V 56A（Tc） 500W（Tc） TO-247-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
450
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
SuperFET® II
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
60 毫欧 @ 29A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 5.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
350 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14685 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
FCH060
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FCH060N80_F155
FCH060N80_F155-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FCH060N80-F155
相关文档
规格书
1(FCH060N80)
环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Source Add 5/Aug/2022)
PCN 封装
()
PCN 零件编号
1(Mult Device Part Number Chg 30/May/2017)
HTML 规格书
1(FCH060N80)
EDA 模型
1(FCH060N80-F155 by Ultra Librarian)
价格
数量: 500
单价: $99.68986
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
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包装: 管件
最小包装数量: 1
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