English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIKD04N60RAATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IKD04N60RAATMA1
摘要
IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
详情
IGBT 沟道 600 V 8 A 75 W 表面贴装型 PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
TrenchStop™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
8 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
12 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，4A
功率 - 最大值
75 W
开关能量
90µJ（开），150µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
27 nC
25°C 时 Td（开/关）值
14ns/146ns
测试条件
400V，4A，43 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
43 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
PG-TO252-3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
INFINFIKD04N60RAATMA1
2156-IKD04N60RAATMA1
SP000943854
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Infineon Technologies IKD04N60RAATMA1
相关文档
规格书
1(IKD04N60RA)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
PCN 产品变更/停产
1(IKDyyy 20/Dec/2019)
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
价格
-
替代型号
型号 : AIHD04N60RATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 直接
型号 : IKD04N60RFATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥9.14000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥9.14000
替代类型. : 参数等效