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元器件型号详细信息
原厂型号
IRF7524D1TR
摘要
MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 1.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8™
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
FETKY™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
270 毫欧 @ 1.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
240 pF @ 15 V
FET 功能
肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
Micro8™
封装/外壳
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRF7524D1CT
IRF7524D1DKR
*IRF7524D1TR
IRF7524D1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF7524D1TR
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价格
-
替代型号
-