IPD80R360P7ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD80R360P7ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 800 V 13A（Tc） 84W（Tc） PG-TO252-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

39 周

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™ P7

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

13A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

360 毫欧 @ 5.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 280µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

30 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

930 pF @ 500 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

84W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD80R

其它名称

IPD80R360P7ATMA1CT

SP001633516

IPD80R360P7ATMA1TR

IPD80R360P7ATMA1DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD80R360P7ATMA1

价格

数量: 5000

单价: $10.60202
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 2500

单价: $11.00979
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1000

单价: $11.82532
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $14.27198
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $17.3713
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $21.616
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $24.09
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $11.82532
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $14.27198
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $17.3713
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $21.616
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $24.09
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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型号 : FCD9N60NTM

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型号 : TK380P60Y,RQ

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 7,740
单价. : ¥13.44000
替代类型. : 类似

型号 : STD13N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 11,849
单价. : ¥16.54000
替代类型. : 类似

ERJ-S06F5233V RN73R1JTTD47R0D100 HH-T2-PK TCSD-17-D-39.37-01-F-N-SR DZ23C10-7-F

IPD80R360P7ATMA1

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