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GermanyTK31V60W5,LVQ
元器件型号详细信息
原厂型号
TK31V60W5,LVQ
摘要
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 30.8A（Ta） 240W（Tc） 4-DFN-EP（8x8）
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
DTMOSIV
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
109 毫欧 @ 15.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
105 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3000 pF @ 300 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
240W（Tc）
工作温度
150°C（TA）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
4-DFN-EP（8x8）
封装/外壳
4-VSFN 裸露焊盘
基本产品编号
TK31V60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TK31V60W5LVQDKR
TK31V60W5LVQTR
TK31V60W5LVQCT
TK31V60W5,LVQ(S
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60W5,LVQ
相关文档
规格书
1(TK31V60W5)
特色产品
1(Server Solutions)
EDA 模型
1(TK31V60W5 by Ultra Librarian)
价格
数量: 2500
单价: $17.16374
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 2500
数量: 1000
单价: $18.06711
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
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替代型号
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