元器件型号详细信息

原厂型号
TT8M2TR
摘要
MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A TSST8
详情
MOSFET - 阵列 30V,20V 2.5A 1.25W 表面贴装型 8-TSST
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V,20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
90 毫欧 @ 2.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
180pF @ 10V
功率 - 最大值
1.25W
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SMD,扁平引线
供应商器件封装
8-TSST
基本产品编号
TT8M2

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Rohm Semiconductor TT8M2TR

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规格书
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环保信息
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HTML 规格书
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仿真模型
1(TT8M2 Spice Model)

价格

数量: 3000
单价: $2.84437
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000

替代型号

型号 : NTHD3100CT1G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥8.27000
替代类型. : 类似