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GermanyRW1E015RPT2R
元器件型号详细信息
原厂型号
RW1E015RPT2R
摘要
MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 1.5A（Ta） 400mW（Ta） 6-WEMT
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
8,000
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
160 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.2 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
230 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-WEMT
封装/外壳
6-SMD，扁平引线
基本产品编号
RW1E015
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
RW1E015RPT2RCT
846-RW1E015RPT2RCT
846-RW1E015RPT2RTR
RW1E015RPT2RTR
846-RW1E015RPT2RDKR
RW1E015RPT2RDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Rohm Semiconductor RW1E015RPT2R
相关文档
规格书
1(RW1E015RP)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 30/Sep/2021)
EDA 模型
1(RW1E015RPT2R by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : RV4E031RPTCR1
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
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型号 : RW1E015RPT2R
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 6,733
单价. : ¥3.42000
替代类型. : 参数等效
库存 : 6,733
单价. : ¥3.42000
替代类型. : 参数等效
型号 : SSM6J207FE,LF
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥3.34000
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单价. : ¥3.34000
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