元器件型号详细信息

原厂型号
BSS84DW-7
摘要
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6
详情
MOSFET - 阵列 50V 130mA 300mW 表面贴装型 SOT-363
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 个 P 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10 欧姆 @ 100mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
45pF @ 25V
功率 - 最大值
300mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
SOT-363
基本产品编号
BSS84

相关信息

RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

BSS84DWDICT
BSS84DWDITR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated BSS84DW-7

相关文档

规格书
1(BSS84DW Datasheet)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 设计/规格
1(Green Encapsulate Change 09/July/2007)
HTML 规格书
1(BSS84DW Datasheet)
EDA 模型
()

价格

-

替代型号

型号 : BSS84DW-7-F
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 131,095
单价. : ¥2.86000
替代类型. : 直接
型号 : UM6J1NTN
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 8,276
单价. : ¥3.74000
替代类型. : 类似