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GermanyIPS65R1K0CEAKMA2
元器件型号详细信息
原厂型号
IPS65R1K0CEAKMA2
摘要
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO251-3
详情
通孔 N 通道 650 V 7.2A（Tc） 68W（Tc） PG-TO251-3-342
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ CE
包装
管件
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
328 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO251-3-342
封装/外壳
TO-251-3 短截引线，IPak
基本产品编号
IPS65R1
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
448-IPS65R1K0CEAKMA2
SP001724356
IPS65R1K0CEAKMA2-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPS65R1K0CEAKMA2
相关文档
规格书
1(IPS65R1K0CE)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Chgs 13/Oct/2020)
HTML 规格书
1(IPS65R1K0CE)
价格
数量: 1500
单价: $3.31879
包装: 管件
最小包装数量: 1500
包装: 管件
最小包装数量: 1500
替代型号
型号 : IPS70R1K4P7SAKMA1
制造商 : Infineon Technologies
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