元器件型号详细信息

原厂型号
SI5980DU-T1-GE3
摘要
MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
详情
MOSFET - 阵列 100V 2.5A 7.8W 表面贴装型 PowerPAK® ChipFet 双
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
剪切带(CT)
产品状态
停产
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
567 毫欧 @ 400mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.3nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
78pF @ 50V
功率 - 最大值
7.8W
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® CHIPFET™ 双
供应商器件封装
PowerPAK® ChipFet 双
基本产品编号
SI5980

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SI5980DU-T1-GE3CT
SI5980DUT1GE3
SI5980DU-T1-GE3DKR
SI5980DU-T1-GE3TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SI5980DU-T1-GE3

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规格书
1(SI5980DU)
PCN 产品变更/停产
()
HTML 规格书
1(SI5980DU)

价格

-

替代型号

型号 : SIS990DN-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 105
单价. : ¥7.31000
替代类型. : 类似