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20250412
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元器件资讯
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IXFT50N60P3-TRL
元器件型号详细信息
原厂型号
IXFT50N60P3-TRL
摘要
MOSFET N-CH 600V 50A TO268
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 50A(Tc) 1.04kW(Tc) TO-268
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
53 周
EDA/CAD 模型
标准包装
400
供应商库存
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技术参数
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™, Polar3™
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
145 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
94 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6300 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.04kW(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-268
封装/外壳
TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
基本产品编号
IXFT50
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/IXYS IXFT50N60P3-TRL
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环保信息
1(Ixys IC REACH)
价格
数量: 400
单价: $69.72123
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 400
替代型号
-
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