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GermanyNSS40302PDR2G
元器件型号详细信息
原厂型号
NSS40302PDR2G
摘要
TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 NPN，PNP 40V 3A 100MHz 653mW 表面贴装型 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
48 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
晶体管类型
NPN，PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
3A
电压 - 集射极击穿（最大值）
40V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
115mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
180 @ 1A，2V
功率 - 最大值
653mW
频率 - 跃迁
100MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
NSS40302
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
NSS40302PDR2GOSCT
NSS40302PDR2GOSDKR
ONSONSNSS40302PDR2G
2156-NSS40302PDR2G-OS
NSS40302PDR2GOSTR
NSS40302PDR2G-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极晶体管阵列/onsemi NSS40302PDR2G
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规格书
1(NSS40302PDR2G)
环保信息
()
PCN 组装/来源
1(Assembly Change 06/Jan/2022)
PCN 封装
1(Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018)
HTML 规格书
1(NSS40302PDR2G)
EDA 模型
1(NSS40302PDR2G by Ultra Librarian)
价格
数量: 12500
单价: $3.93705
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 2500
数量: 5000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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替代型号
-