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GermanyBSO612CVGHUMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSO612CVGHUMA1
摘要
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
详情
MOSFET - 阵列 60V 3A，2A 2W 表面贴装型 PG-DSO-8
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A，2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
120 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15.5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
340pF @ 25V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
PG-DSO-8
基本产品编号
BSO612
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSO612CVGHUMA1TR
BSO612CVGHUMA1DKR
2156-BSO612CVGHUMA1
BSO612CVXTINCT
BSO612CVXTINCT-ND
BSO612CVGXT
BSO612CVXTINTR-ND
BSO612CVT
BSO612CVGINTR-ND
BSO612CVGINTR
BSO612CVGINDKR-ND
BSO612CVGINCT-ND
INFINFBSO612CVGHUMA1
BSO612CVGT
BSO612CVXTINTR
BSO612CVGHUMA1CT
BSO612CVGINDKR
BSO612CV G
SP000216307
BSO612CVG
BSO612CV G-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies BSO612CVGHUMA1
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HTML 规格书
1(BSO 612 CV G)
仿真模型
1(OptiMOS™ Power MOSFET 60V Complementary Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IRF7343TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 31,009
单价. : ¥11.53000
替代类型. : 类似
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