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GermanyIRF3575DTRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF3575DTRPBF
摘要
MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN
详情
MOSFET - 阵列 25V 303A（Tc） 表面贴装型 32-PQFN（6x6）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
303A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
功率 - 最大值
-
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
32-PowerWFQFN
供应商器件封装
32-PQFN（6x6）
基本产品编号
IRF3575
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
2（1 年）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies IRF3575DTRPBF
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HTML 规格书
1(IRF3575DTRPBF Overview)
价格
-
替代型号
-