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GermanyDMN31D5UDJ-7
元器件型号详细信息
原厂型号
DMN31D5UDJ-7
摘要
MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT963 T&R
详情
MOSFET - 阵列 30V 220mA（Ta） 350mW（Ta） 表面贴装型 SOT-963
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
10,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.38nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
22.6pF @ 15V
功率 - 最大值
350mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-963
供应商器件封装
SOT-963
基本产品编号
DMN31
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
HTSUS
0000.00.0000
其它名称
31-DMN31D5UDJ-7DKR
DMN31D5UDJ-7-ND
31-DMN31D5UDJ-7CT
31-DMN31D5UDJ-7TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated DMN31D5UDJ-7
相关文档
规格书
1(DMN31D5UDJ)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 设计/规格
1(BOM C19400 17-May-2022)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Site 7/Apr/2021)
价格
-
替代型号
-